[发明专利]高压传感器装置及其方法有效
| 申请号： | 201010171037.2 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101853798A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 杰斐逊·W.·霍尔;穆罕默德·T.·库杜斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/77;H01L23/544;H01L27/04;G01R19/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及高压传感器装置及其方法。一种检测高电压的方法，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底之上的检测元件，以及配置所述检测元件接收具有近似大于5伏的值的高电压并且作为响应形成检测信号，所述检测信号的值表示所述高电压的值并且以连续的方式在高电压的操作范围上变化，其中所述检测信号是具有表示高电压的值的电压或者具有表示高电压的值的电流中的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 传感器 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种检测高电压的方法，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底之上的检测元件，以及配置所述检测元件接收具有近似大于5伏的值的高电压并且作为响应形成检测信号，所述检测信号的值表示所述高电压的值并且以连续的方式在高电压的操作范围上变化，其中所述检测信号是具有表示高电压的值的电压或者具有表示高电压的值的电流中的一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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