[发明专利]高压传感器装置及其方法有效
申请号: | 201010171037.2 | 申请日: | 2005-12-26 |
公开(公告)号: | CN101853798A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 杰斐逊·W.·霍尔;穆罕默德·T.·库杜斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/77;H01L23/544;H01L27/04;G01R19/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 传感器 装置 及其 方法 | ||
1.一种检测高电压的方法,包括:
提供半导体衬底;
形成位于所述半导体衬底之上的检测元件,以及配置所述检测元件接收具有近似大于5伏的值的高电压并且作为响应形成检测信号,所述检测信号的值表示所述高电压的值并且以连续的方式在高电压的操作范围上变化,其中所述检测信号是具有表示高电压的值的电压或者具有表示高电压的值的电流中的一个。
2.如权利要求1所述的方法,还包括配置电路使用所述检测信号来进行以下各项中的一个:检测线路欠压情况、检测线路过压情况、确定输入功率、限制输入功率、功率限制、控制待机操作、或用于电流模式斜坡补偿的线路前馈功能。
3.如权利要求1所述的方法,其中形成所述检测元件包括配置电路使用所述检测信号来进行以下各项中的一个:调节输出电压或检测能量存储元件的能量转移状态。
4.一种检测电源控制器的高电压的方法,包括:
提供半导体衬底;
形成位于所述半导体衬底之上的检测元件,以及配置所述检测元件接收具有近似大于5伏的值的高电压并且作为响应形成检测信号,所述检测信号的值表示所述高电压的值并且以连续的方式在高电压的操作范围上变化;
在半导体衬底上形成第一电路;以及
配置所述第一电路使用所述检测信号来进行以下各项中的一个:检测线路欠压情况、检测线路过压情况、确定输入功率、限制输入功率、功率限制、控制待机操作、用于电流模式斜坡补偿的线路前馈功能、调节输出电压或检测能量存储元件的能量转移状态。
5.如权利要求4所述的方法,其中形成检测元件包括:形成检测元件以接收具有高于四十伏的值的高电压。
6.一种形成高电压检测元件的方法,包括:
在半导体衬底上形成半导体器件,其中所述半导体器件具有至少一个高电压输入端;
形成位于所述半导体衬底的至少一部分之上的检测元件,以及
配置所述检测元件从高电压输入端接收高电压并且作为响应形成检测信号,所述检测信号的值表示所述高电压的值,其中所述高电压的值近似大于四十伏;以及
可操作地耦合第一电路以使用所述检测信号来进行以下各项中的一个:检测线路欠压情况、检测线路过压情况、确定输入功率、限制输入功率、功率限制、控制待机操作、用于电流模式斜坡补偿的线路前馈功能、调节输出电压或检测能量存储元件的能量转移状态。
7.如权利要求6所述的方法,还包括可操作地耦合第二电路以使用所述检测信号来进行以下各项中不通过所述第一电路进行的不同的一项:检测线路欠压情况、检测线路过压情况、确定输入功率、限制输入功率、功率限制、控制待机操作、用于电流模式斜坡补偿的线路前馈功能、调节输出电压或检测能量存储元件的能量转移状态。
8.如权利要求6所述的方法,其中在半导体衬底上形成所述半导体器件包括:在所述半导体衬底上形成掺杂区域,形成位于所述掺杂区域的至少一部分之上的检测元件,其中所述检测元件的第一端不耦合到所述掺杂区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造