[发明专利]集成电路结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010169912.3 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142399A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 卢玠甫;刘世昌;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路结构的制造方法，包括：形成一下电极层于一基板上；形成多层磁性穿隧结层于该下电极层上；图案化所述多层磁性穿隧结层，以形成一磁性穿隧结堆叠；形成一介电层于该磁性穿隧结堆叠，形成一开口于该介电层中，以露出部分该磁性穿隧结堆叠；填入一上电极材料于该开口；以及对该上电极材料实施一平坦化步骤。于实施该平坦化步骤后，图案化该上电极材料与该介电层，其中于该开口中的一第一部分该上电极材料形成一上电极，而于该介电层上的一第二部分该上电极材料形成一金属条，连接该上电极层。本发明上电极与金属条之间的接触电阻低，且其接触电阻的变化也低。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构的制造方法，包括：提供一基板；形成一下电极层于该基板上；形成一磁性穿隧结堆叠于该下电极层上；形成一介电层覆盖该磁性穿隧结堆叠；形成一开口于该介电层中，以露出部分该磁性穿隧结堆叠；填入一上电极材料于该开口；以及图案化该上电极材料与该介电层，其中在该开口中的一第一部分该上电极材料形成一上电极，在该介电层上的一第二部分该上电极材料形成一金属条，连接该上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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