[发明专利]集成电路结构的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一下电极层于该基板上；

形成一磁性穿隧结堆叠于该下电极层上；

形成一介电层覆盖该磁性穿隧结堆叠；

形成一开口于该介电层中，以露出部分该磁性穿隧结堆叠；

填入一上电极材料于该开口；以及

图案化该上电极材料与该介电层，其中在该开口中的一第一部分该上电极材料形成一上电极，在该介电层上的一第二部分该上电极材料形成一金属条，连接该上电极。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构的制造方法，还包括对该上电极材料实施一平坦化步骤，其中在实施该平坦化步骤后，该上电极材料的一层直接保留于该介电层上形成一导电层。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构的制造方法，其中在形成该开口后，通过该开口露出该磁性穿隧结堆叠上表面的中心部位，该介电层覆盖该磁性穿隧结堆叠上表面的边缘部位。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构的制造方法，还包括在形成下电极层前，形成一绝缘层于该基板上。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构的制造方法，其中通过一相同掩模图案化该上电极材料与该介电层。

6.一种集成电路结构的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一下电极层于该基板上；

形成多层磁性穿隧结层于该下电极层上；

图案化所述多层磁性穿隧结层，以形成一磁性穿隧结堆叠；

形成一介电层于该磁性穿隧结堆叠，其中该介电层的一上表面高于该磁性穿隧结堆叠的一上表面，部分该介电层形成于该磁性穿隧结堆叠的侧壁；

蚀刻该介电层，以在该介电层中形成一开口，直至露出该磁性穿隧结堆叠的上表面；

填入一上电极材料于该开口，直至该上电极材料的上表面高于该介电层的上表面；以及

图案化该上电极材料与该介电层。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构的制造方法，还包括对该上电极材料实施一平坦化步骤，其中在实施该平坦化步骤后，在该介电层中的一第一部分该上电极材料形成一上电极，直接在该介电层上的一第二部分该上电极材料形成一金属条，连接一行磁性穿隧结单元的该上电极。

8.根据权利要求6所述的集成电路结构的制造方法，其中在形成该开口后，通过该开口露出该磁性穿隧结堆叠上表面的中心部位，该介电层覆盖该磁性穿隧结堆叠上表面的边缘部位。

9.根据权利要求6所述的集成电路结构的制造方法，其中通过一硬掩模图案化该上电极材料与该介电层，该硬掩模包括一非晶硅层与一形成于该非晶硅层上的氮氧化硅层。

10.根据权利要求6所述的集成电路结构的制造方法，其中通过一相同掩模图案化该上电极材料与该介电层。