[发明专利]一种瞬间电压抑制器及形成瞬间电压抑制器的方法有效
| 申请号： | 201010168908.5 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101847663A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯·霍;刘先锋;梁晋穗;程小强 | 申请（专利权）人： | 上海新进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/78;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种瞬间电压抑制器(TVS)器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；和覆盖所述半导体衬底的第二导电类型的第一和第二半导体区域。第二导电类型的半导体层覆盖所述第一和第二半导体区域。TVS器件具有延伸通过半导体层和第一半导体区域并进入到半导体衬底中的第一沟槽；设置在所述第一沟槽中的第二导电类型的填充材料。TVS器件中的箝位二极管具有在填充材料的外扩散区域和半导体衬底的一部分之间的结。该TVS器件还包括形成在半导体层的第一部分中的第一PN二极管；和第二PN二极管，具有在第二半导体区域和半导体衬底之间的结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瞬间 电压 抑制器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种瞬间电压抑制器(TVS)器件，包括：p型半导体衬底；第一n型半导体区域和第二n型半导体区域，覆盖所述半导体衬底，所述第一区域具有第一掺杂浓度，所述第二区域具有比所述第一掺杂浓度低的第二掺杂浓度；n型半导体层，覆盖所述第一n型半导体区域和所述第二n型半导体区域；多个沟槽，延伸通过所述n型半导体层和所述第一n型半导体区域并进入到所述p型半导体衬底；n型填充材料，设置在所述多个沟槽中的每个中；箝位二极管，具有在所述n型填充材料的外扩散区域和所述p型半导体衬底的一部分之间的结区域，其中：所述箝位二极管与在所述第一n型半导体区域和所述p型半导体衬底之间的二极管结并联耦合，以及所述箝位二极管被配置成具有低于所述结的反向击穿电压的箝位电压，使得防止所述结作为齐纳二极管来工作；PIN二极管，包括p型区域、n型半导体层的第一部分和所述第一n型半导体区域；NIP二极管，包括n型区域、n型半导体层的第二部分、第二n型半导体区域和所述p型半导体衬底；在所述PIN二极管周围的第一隔离区域；在所述NIP二极管周围的第二隔离区域；以及用于耦合设置在每个所述沟槽中的n型填充材料的导体。
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