[发明专利]在超高压组件的高压路径上提供ESD保护的结构有效
| 申请号： | 201010168458.X | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102244070A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李建兴 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在超高压组件的高压路径上提供ESD保护的结构，该超高压组件的高压路径建立于从高压N型井经第一金属层至第二金属层，在该高压N型井及第一金属层之间有连接柱，其在水平剖面上具有分布式的结构以提高该超高压组件的均匀度，使该高压路径上的电流均匀地散布，因而避免电流分布不均匀所导致的局部热聚集的情况发生，降低该超高压组件的损毁率。较佳者，更包含多个熔丝装置彼此独立地连接该第一金属层，该熔丝装置含有多晶硅熔丝在承载的电流过大时熔毁。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 组件 高压 路径 提供 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种在超高压组件的高压路径上提供ESD保护的结构，其特征在于，该高压路径是建立于从高压N型井经第一金属层至第二金属层，该提供ESD保护的结构包含：连接柱连接于该高压N型井及第一金属层之间，在水平剖面上具有分布式的结构；以及接触区在该高压N型井上，供该连接柱电性接触，且在该水平剖面上随形于该连接柱而呈现点状分布的多个隔离岛区域。
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