[发明专利]在超高压组件的高压路径上提供ESD保护的结构有效
| 申请号： | 201010168458.X | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102244070A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李建兴 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高压 组件 高压 路径 提供 esd 保护 结构 | ||
1.一种在超高压组件的高压路径上提供ESD保护的结构，其特征在于，该高压路径是建立于从高压N型井经第一金属层至第二金属层，该提供ESD保护的结构包含：
连接柱连接于该高压N型井及第一金属层之间，在水平剖面上具有分布式的结构；以及
接触区在该高压N型井上，供该连接柱电性接触，且在该水平剖面上随形于该连接柱而呈现点状分布的多个隔离岛区域。
2.一种在超高压组件的高压路径上提供ESD保护的结构，其特征在于，该高压路径是建立于从高压N型井经第一金属层至第二金属层，该提供ESD保护的结构包含：
连续的接触区在该高压N型井上；
第一连接柱在水平剖面上具有分布式的结构电性接触该接触区且连接该第一金属层；以及
多个熔丝装置彼此独立地连接该第一金属层；
其中，每一该熔丝装置包含：
由该第一金属层提供的彼此隔离的第一部份及第二部份，该第一部份连接该第一连接柱，该第二部份经导孔连接该第二金属层；
第二及第三接点柱分别连接该第一金属层的第一及第二部份；以及
多晶硅熔丝连接该第二及第三接点柱。
3.一种在超高压组件的高压路径上提供ESD保护的结构，其特征在于，该高压路径是建立于从高压N型井经第一金属层至第二金属层，该提供ESD保护的结构包含：
第一连接柱连接于该高压N型井及第一金属层之间，在水平剖面上具有分布式的结构；以及
接触区在该高压N型井上，供该第一连接柱电性接触，且在该水平剖面上随形于该第一连接柱而呈现点状分布的多个隔离岛区域；以及
多个熔丝装置彼此独立地连接该第一金属层；
其中，每一该熔丝装置包含：
由该第一金属层提供的彼此隔离的第一部份及第二部份，该第一部份连接该第一连接柱，该第二部份经导孔连接该第二金属层；
第二及第三接点柱分别连接该第一金属层的第一及第二部份；以及
多晶硅熔丝连接该第二及第三接点柱。
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