[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。

主权项

半导体器件制造方法，包括：在第一衬底上形成第一电极；对第一电极的表面进行氧化处理；对第一电极的表面进行氮化处理；形成与第一电极表面接触的有机化合物层；在有机化合物层上形成第二电极以制造包括第一电极、有机化合物层和第二电极的存储元件；将具有挠性的第二衬底粘贴到第二电极上；从第一衬底上剥离存储元件；和将该存储元件用粘合层粘贴到第三衬底上，其中，进行氧化处理以减小第一电极和有机化合物层之间的界面的界面张力。