[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.半导体器件制造方法，包括：

在第一衬底上形成第一电极；

对第一电极的表面进行氧化处理；

对第一电极的表面进行氮化处理；

形成与第一电极表面接触的有机化合物层；

在有机化合物层上形成第二电极以制造包括第一电极、有机化合物层和第二电极的存储元件；

将具有挠性的第二衬底粘贴到第二电极上；

从第一衬底上剥离存储元件；和

将该存储元件用粘合层粘贴到第三衬底上，

其中，进行氧化处理以减小第一电极和有机化合物层之间的界面的界面张力。

2.半导体器件制造方法，包括：

形成第一电极；

对第一电极的表面进行减小界面张力的处理；

对第一电极的表面进行氮化处理；

形成与第一电极表面接触的有机化合物层；

在有机化合物层上形成第二电极以制造存储元件。

3.半导体器件制造方法，包括：

形成第一电极；

对第一电极的表面进行氧化处理；

对第一电极的表面进行氮化处理；

形成与第一电极表面接触的有机化合物层；

在有机化合物层上形成第二电极以制造存储元件；

其中，进行氧化处理以减小第一电极和有机化合物层之间的界面的界面张力。

4.半导体器件制造方法，包括：

在第一衬底上形成第一电极；

对第一电极的表面进行减小界面张力的处理；

对第一电极的表面进行氮化处理；

形成与第一电极表面接触的有机化合物层；

在有机化合物层上形成第二电极以制造包括第一电极、有机化合物层和第二电极的存储元件；

将具有挠性的第二衬底粘贴到第二电极上；

从第一衬底上剥离存储元件；和

将该存储元件用粘合层粘贴到第三衬底上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件制造方法，其中所述第二电极形成在氧气氛中。

6.根据权利要求1或4所述的半导体器件制造方法，所述方法还包括形成介于第一衬底和第一电极之间的剥离层。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件制造方法，其中所述有机化合物层选自聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、苯并环丁烯树脂和环氧树脂。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件制造方法，其中第一电极和第二电极其中之一电连接至晶体管。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件制造方法，所述方法还包括对第二电极的表面进行氧化处理，其中所述第二电极的表面与有机化合物层接触。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件制造方法，所述方法还包括对第二电极的表面进行减小界面张力的处理，其中所述第二电极的表面与有机化合物层接触。

11.半导体器件制造方法，包括：

形成晶体管；

形成电连接至晶体管的第一导电层；

对第一导电层的表面进行减小界面张力的处理；

对第一导电层的表面进行氮化处理；和

在晶体管和第一导电层上形成有机化合物层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件制造方法，所述方法还包括在有机化合物上形成第二导电层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件制造方法，所述方法还包括形成存储元件，所述存储元件包括第一导电层、第二导电层和有机化合物层。

14.根据权利要求11所述的半导体器件制造方法，其中所述第一电极包括铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌的一种或多种。

15.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述有机化合物层选自聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、苯并环丁烯树脂和环氧树脂。