[发明专利]一种具有交换偏置效应的磁性材料及其制备方法无效
| 申请号: | 201010164927.0 | 申请日: | 2010-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN101826385A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
| 发明(设计)人: | 马丽;陈京兰;王文洪;吴光恒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号: | H01F1/047 | 分类号: | H01F1/047;C22C30/04;C22C22/00;C22C1/02;C30B29/52;C30B15/00 |
| 代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种具有交换偏置效应的磁性材料及其制备方法,该磁性材料的化学式为:MnmNinSno,其中,30≤m<55,25≤n≤50,9≤o<13,m+n+o=100,m、n、o表示原子百分比含量。本发明的磁性材料的制备方法,其步骤为:(1)按化学式MnmNinSno称量原料;(2)将称好的原料盛放在坩埚中,采用常规的提拉法生长或电弧熔炼法,以及采用快淬甩带方法制备MnmNinSno磁性单晶或多晶。本发明磁性材料MnmNinSno与现有合金相比,具有更大的交换偏置场HE数值,具有更高的磁场可控制性,可用于制作驱动器、温度和/或磁性敏感元件、磁制冷器件和设备、磁存储器、微型机电器件和系统等等。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 交换 偏置 效应 磁性材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有交换偏置效应的磁性材料,其化学式为:MnmNinSno;其中,30≤m<55,25≤n≤50,9≤o<13,m+n+o=100,m、n、o表示原子百分比含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010164927.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种直流电源防反接电路
- 下一篇:发光二极管灯泡





