[发明专利]一种具有交换偏置效应的磁性材料及其制备方法无效
申请号: | 201010164927.0 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101826385A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 马丽;陈京兰;王文洪;吴光恒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01F1/047 | 分类号: | H01F1/047;C22C30/04;C22C22/00;C22C1/02;C30B29/52;C30B15/00 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 交换 偏置 效应 磁性材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有交换偏置效应的磁性材料,其化学式为:MnmNinSno;其中,30≤m<55,25≤n≤50,9≤o<13,m+n+o=100,m、n、o表示原子百分比含量。
2.如权利要求1所述的具有交换偏置效应的磁性材料,其特征在于,所述MnmNinSno磁性材料的形式为单晶结构。
3.如权利要求1所述的具有交换偏置效应的磁性材料,其特征在于,所述MnmNinSno磁性材料的形式为多晶结构。
4.一种制备权利要求1或2任一所述具有交换偏置效应的磁性材料的方法,包括如下步骤:
(1)按化学式MnmNinSno称量原料,其中,30≤m<55,25≤n≤50,9≤o<13,m+n+o=100,m、n、o表示原子百分比含量;
(2)将称好的料盛放在坩埚中,采用常规的提拉法生长MnmNinSno磁性单晶,其生长条件为:加热上述成分的原料到使之熔融;其熔融环境为1×10-2到5×10-5Pa的真空或0.01~1MPa正压力的氩气保护气体;以0.5~50转/分钟的速率旋转的籽晶杆下端固定一个籽晶;所述的籽晶为成分相同或接近的、具有所需要的取向的单晶;
(3)在1000~1200℃的熔融温度条件下保持10~30分钟,用籽晶下端接触熔体的液面,然后以3~80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆,将凝固结晶的单晶向上提拉,并使生长的单晶直径变大或保持一定;
(4)当生长的单晶达到所需尺寸时,将单晶提拉脱离熔融的原料表面,以0.5~20℃/分钟的降温速率缓慢降低温度冷却至室温,最后取出。
5.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中的生长加热方式采用50~245千赫兹的射频加热或电阻加热方式。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中的坩埚为磁悬浮冷坩埚、石墨坩埚或者石英坩埚。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,将步骤(4)制备好的单晶在500~1200℃的温度范围内退火0.01~100小时,然后再以0.01~1000℃/秒的降温速率冷却。
8.一种制备权利要求1或3任一所述具有交换偏置效应的磁性材料的方法,包括如下步骤:
(1)按化学式MnmNinSno称量原料,其中,30≤m<55,25≤n≤50,9≤o<13,m+n+o=100,m、n、o表示原子百分比含量;
(2)将称好的料盛放在熔炼坩埚中,采用电弧熔炼方法获得MnmNinSno磁性多晶,其熔炼条件为:在真空达到2×10-3Pa以下时,通入0.1~1.2MPa氩气,整个熔炼过程样品采用氩气保护,熔炼电流30~100A,共熔炼四次以保证成分均匀;所获得的熔炼产物用钽片包裹后,装入密封的真空石英管中,在500~1200℃的温度范围内退火0.1~100小时,然后再以0.01~1000℃/秒的降温速率冷却,以实现原子高度有序排列,最后取出。
9.一种制备权利要求1或3任一所述具有交换偏置效应的磁性材料的方法,包括如下步骤:
将如权利要求8步骤(2)中最后得到的合金放入甩带机的石英管内,抽真空到10-3Pa以上,炉腔内通入高纯氩气,压强为0.05MPa,采用感应加热,使合金处于熔融状态,然后从石英管上部吹入压力为0.1~1.2MPa的高纯氩气,使熔融合金液体从小孔中喷射到线速度为10~30m/s的高速旋转的铜轮上快速甩出,采用这一快淬甩带方法获得宽度为1-10mm,厚度为40-50μm的多晶状态合金材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010164927.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种直流电源防反接电路
- 下一篇:发光二极管灯泡