[发明专利]金属互连结构的制作方法及平坦化工艺无效
| 申请号： | 201010164292.4 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102237297A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;林燕飞;范思源 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出一种金属互连结构的制作方法及平坦化工艺，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积电介质层，所述电介质层包括依次层叠的绝缘层和缓冲氧化层；蚀刻所述电介质层至露出半导体衬底以形成凹槽；在上述结构表面沉积阻挡层；在凹槽中填充金属层形成金属插塞；通过化学机械研磨去除上述结构表面的金属层、阻挡层和部分缓冲氧化层；对所述缓冲氧化层进行回蚀刻，进一步去除部分缓冲氧化层。本发明提出的金属互连结构的制作方法及平坦化工艺，其能够有效改善进行研磨处理后的金属镶嵌结构表面状况，去除大部分金属镶嵌结构表面缺陷，从而提高金属互连的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制作方法 平坦 化工 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的制作方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积电介质层，所述电介质层包括依次层叠的绝缘层和缓冲氧化层；蚀刻所述电介质层至露出半导体衬底以形成凹槽；在上述结构表面沉积阻挡层；在凹槽中填充金属层形成金属插塞；通过化学机械研磨去除上述结构表面的金属层、阻挡层和部分缓冲氧化层；对所述缓冲氧化层进行回蚀刻，进一步去除部分缓冲氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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