[发明专利]光检测电路和电子设备

摘要

本发明提供光检测电路和电子设备，其消耗电流极小。作为解决手段，构成为：具有栅极分别与相对的P沟道MOS晶体管的漏极连接的2个相对的P沟道MOS晶体管，一个P沟道MOS晶体管的漏极利用N沟道MOS晶体管的导通电流而放电，该N沟道MOS晶体管根据由光发电元件产生的电压而导通，另一个P沟道MOS晶体管的漏极利用耗尽型N沟道MOS晶体管的导通电流而放电，该耗尽型N沟道MOS晶体管的栅极被输入基准电源端子的电压，源极被输入由光发电元件产生的电压。

主权项

一种光检测电路，该光检测电路具有当入射的光量多时发电电力增加的光发电元件，并利用该光发电元件的发电电力量来检测入射的光量，其特征在于，该光检测电路具有：第1P沟道MOS晶体管，其利用导通电流对输出端子进行充电；第2P沟道MOS晶体管，其利用导通电流对第1节点进行充电；第1N沟道MOS晶体管，其栅极被输入由所述光发电元件的发电电力产生的电压，利用导通电流使所述输出端子放电；以及第1耗尽型N沟道MOS晶体管，其栅极被输入基准电源端子的电压，源极被输入由所述光发电元件的发电电力产生的电压，利用导通电流使所述第1节点放电，该光检测电路构成为：在由所述光发电元件的发电电力产生的电压高的情况下，所述第1N沟道MOS晶体管导通，所述第1耗尽型N沟道MOS晶体管截止，所述第1P沟道MOS晶体管截止，所述第2P沟道MOS晶体管导通，在由所述光发电元件的发电电力产生的电压低的情况下，所述第1N沟道MOS晶体管截止，所述第1耗尽型N沟道MOS晶体管导通，所述第1P沟道MOS晶体管导通，所述第2P沟道MOS晶体管截止。