[发明专利]光检测电路和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及检测可见光及红外光等的光的光检测电路，特别涉及消耗电流比以往更小的光检测电路。

背景技术

近年来，有的电子设备具有挂钟报时等在周围暗的情况下不需要的功能以及移动电话的背景灯等在周围暗的情况下需要的功能，该电子设备通过内置的光检测电路来检测周围的明暗，仅在需要时才使这些功能动作，从而实现了低功耗化。但是，随着近年来对低功耗化进一步的要求，还需要削减该光检测电路的功耗。

图5示出了使用现有的光检测电路来控制挂钟的报时的电路。如图5所示，光电二极管120的N型端子与正电源端子VDD连接，P型端子与电流限制电阻501的第1电极连接，晶体管510的集电极及基极与电流限制电阻501的第2电极以及晶体管511的基极连接，发射极与基准电源端子GND连接，晶体管511的集电极与判定第1节点N1连接，发射极与基准电源端子GND连接，晶体管520的集电极与判定第1节点N1连接，基极与晶体管521的基极相同地与晶体管521的集电极以及基准电阻502的第1电极连接，发射极与开关530的第2电极以及晶体管521的发射极连接，开关530的第1电极与正电源端子VDD连接，基准电阻502的第2电极与基准电源端子GND连接，P沟道MOS晶体管104的源极与正电源端子VDD连接，栅极与判定第1节点N1连接，漏极与输出节点N2连接，N沟道MOS晶体管107的源极与基准电源端子GND连接，栅极与判定第1节点N1连接，漏极与输出节点N2连接，输出节点N2与钟表控制部540连接，未作图示，将来自电源的正电压提供给正电源端子VDD，将来自电源的零伏电压提供给基准电源端子GND。

通过上述结构，现有的光检测电路在开关530接通的状态下，进行如下动作来进行光的检测。

光电二极管120产生的与亮度成比例的光电流经由晶体管510被镜像到晶体管511。流过基准电阻502的基准电流经由晶体管521被镜像到晶体管520。因此，利用判定第1节点N1对基于该光电流的晶体管511的电流与基于基准电流的晶体管520的电流进行比较。由此，在周围亮的情况下，基于光电流的晶体管511的电流比基于基准电流的晶体管520的电流大，所以，判定节点为低电平(low)，输出节点N2为高电平(high)，所以，钟表控制部540根据该高电平的信号而使报时工作。另一方面，在周围暗的情况下，基于光电流的晶体管511的电流比基于基准电流的晶体管520的电流小，所以，判定节点为高电平，输出节点N2为低电平，所以，钟表控制部540根据该低电平信号而使报时停止。(例如参照专利文献1)

【专利文献1】日本特开2006-287658号公报

在现有的光检测电路中，只在需要光检测动作时，才使开关530接通必要的时间，由此实现了低消耗电流。但是，为了对该开关530进行间歇控制，需要脉冲电路，存在电路规模变大的课题。而且，脉冲电路的消耗电流始终存在，所以，存在无法削减这部分消耗电流的课题。并且，在现有的光检测电路中，光电二极管的光电流不是由该开关来切断，所以存在这样的课题：在周围亮的情况下始终消耗着光电流。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种在不增大电路规模的情况下、在待机时几乎不消耗电流的光检测电路。进一步，提供一种在周围亮的情况下也不消耗光电二极管的光电流的光检测电路。即，提供一种电路规模小且消耗电流极小的光检测电路。

为了解决上述课题，本发明的光检测电路为以下结构。光检测电路具有：第1P沟道MOS晶体管，其利用导通电流对第1节点进行充电；第2P沟道型晶体管，其利用导通电流对第2节点进行充电；第1N沟道MOS晶体管，其栅极被输入由光发电元件的发电电力产生的电压，利用导通电流使第1节点放电；以及耗尽型N沟道MOS晶体管，其栅极被输入基准电源端子的电压，源极被输入由所述光发电元件的发电电力产生的电压，利用导通电流使所述第2节点放电，在由光发电元件的发电电力产生的电压高的情况下，第1N沟道MOS晶体管导通，耗尽型N沟道MOS晶体管截止，第1P沟道MOS晶体管截止，第2P沟道MOS晶体管导通，在由光发电元件的发电电力产生的电压低的情况下，第1N沟道MOS晶体管截止，耗尽型N沟道MOS晶体管导通，第1P沟道MOS晶体管导通，第2P沟道MOS晶体管截止。

本发明的光检测电路构成为，与周围亮度无关，利用任意的MOS晶体管来切断电流流经的路径，因此，能够利用简单的电路结构将消耗电流控制为极小。

附图说明

图1是示出本发明的光检测电路的第1实施方式的概略电路图。