[发明专利]一种低导通电阻的功率MOS场效应管及制造方法无效
| 申请号： | 201010160708.5 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101834208A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 徐吉程;薛璐;毛振东 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低导通电阻的功率MOS场效应管及制造方法，包括：位于硅片背面第一导电类型的衬底层；位于所述第一导电类型衬底层上方第一导电类型的外延层；位于所述外延层上方的第二导电类型的阱层；穿过所述阱层并伸入外延层内的沟槽，该沟槽内为填充物，该填充物为第二导电类型多晶硅或第二导电类型多晶硅层与氧化硅层的混合层或第二导电类型单晶硅或第二导电类型单晶硅层与氧化硅层的混合层并经推结形成第二导电类型的沟槽区；所述沟槽区与所述外延层之间设有第二导电类型扩散区；在所述阱层上部内且位于所述沟槽区周边的第一导电类型的源极区。本发明可降低功率MOS场效应管的导通电阻，改善功率MOS场效应管的反向恢复时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 功率 mos 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低导通电阻的功率MOS场效应管，其特征在于：包括：位于硅片背面第一导电类型的衬底层(1)；位于所述第一导电类型衬底层上方第一导电类型的外延层(2)；位于所述外延层(2)内上部的第二导电类型的阱层(3)；穿过所述阱层(3)并延伸至外延层(2)内的沟槽(4)，该沟槽内为填充物(5)，该填充物(5)为第二导电类型多晶硅或第二导电类型多晶硅层与氧化硅层(6)的混合层或第二导电类型单晶硅或第二导电类型单晶硅层与氧化硅层的混合层并经推结形成第二导电类型的沟槽区；所述沟槽区与所述外延层(2)之间设有第二导电类型扩散区(7)；在所述阱层(3)上部内且位于所述沟槽区周边的第一导电类型的源极区(8)，该源极区(8)与外延层之间阱层区域作为沟道区(9)，该沟道区(9)和所述外延层(2)上设有栅氧化层(10)和位于栅氧化层上方作为栅极的导电多晶硅层(11)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司，未经苏州硅能半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010160708.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管及其制备方法
- 下一篇：晶圆盒清洁设备
- 同类专利
- 专利分类
