[发明专利]半导体光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010159579.8 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101872036A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 大和屋武;森田佳道;绵谷力 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136;G02B6/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在进行湿蚀刻并形成台面结构的半导体光元件及其制造方法中能够避免在台面结构的角部发生异常蚀刻的情况的半导体光元件及其制造方法。一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成了台面结构，其特征在于包括：脊型或高台型的该台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在该半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于该台面结构的角部的该台面结构的材料相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成台面结构，其特征在于包括：脊型或高台型的所述台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在所述半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于所述台面结构的角部的所述台面结构的材料相同。
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