[发明专利]半导体光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成台面结构，其特征在于包括：

脊型或高台型的所述台面结构，形成在半导体衬底上；以及

延伸台，形成在所述半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于所述台面结构的角部的所述台面结构的材料相同。

2.如权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于：所述延伸台与所述台面结构连接的部分的宽度为15μm以下。

3.如权利要求1或2所述的半导体光元件，其特征在于：

所述延伸台形成为条状，

所述延伸台的一端连接至所述台面结构的角部，

所述延伸台的另一端连接至配置成与所述台面结构一起形成通道的通道外侧台，

所述延伸台的材料与所述台面结构和所述通道外侧台的材料相同。

4.一种半导体光元件的制造方法，其特征在于包括：

在基底层上形成成为半导体光元件的台面结构的材料的外延层的工序；

在所述外延层上形成掩模材料的工序；

将所述掩模材料图案化，以使要成为所述台面结构的部分的正上方及延伸至距离要成为所述台面结构的角部的部分规定距离的部分的区域即延伸台区域的正上方的所述掩模材料残留的工序；以及

在所述图案化工序之后，利用能够蚀刻所述外延层的蚀刻药液对所述外延层进行湿蚀刻的工序，

在所述湿蚀刻工序中在所述延伸台区域的所述外延层消失之前结束湿蚀刻。

5.如权利要求4所述的半导体光元件的制造方法，其特征在于：在所述湿蚀刻工序中从成为所述台面结构的角部的部分延伸的所述外延层的宽度为15μm以下。

6.如权利要求4或5所述的半导体光元件的制造方法，其特征在于：

在所述图案化工序中以使形成通道外侧台的区域正上方的所述掩模材料也残留的方式对所述掩模材料进行图案化，

所述图案化工序后的所述延伸台区域的正上方的掩模材料为条形状，所述延伸台区域的正上方的掩模材料连接要成为所述台面结构的部分的正上方的掩模材料和形成所述通道外侧台的区域正上方的所述掩模材料。