[发明专利]隔离结构的制法有效
| 申请号： | 201010158581.3 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101980358A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 林益安;连浩明;陈嘉仁;林志忠;林毓超;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隔离结构(isolation structure)的制法，且特别是有关于一种不存在缺角(divot)的隔离结构的电子元件。此种隔离结构的制法，包括以下步骤：形成垫氧化层(pad oxide layer)于基材的上表面上；形成开口于垫氧化层中，以暴露基材的一部分；蚀刻基材的暴露部分，以形成沟槽(trench)于该基材中；用绝缘体(insulator)填充沟槽；将垫氧化层的一表面与绝缘体的一表面暴露于气相混合物(vapor mixture)，其中气相混合物包括至少氨气(NH3)与含氟的化合物；以及于温度约100℃～200℃的条件下加热基材。本发明的方法可制作几乎不存在缺角的绝缘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制法 | ||
【主权项】：
一种隔离结构的制法，包括以下步骤：形成一垫氧化层于一基材的上表面上；形成一开口于该垫氧化层中，以暴露该基材的一部分；蚀刻该基材的暴露部分，以形成一沟槽于该基材中；用绝缘体填充该沟槽；将该垫氧化层的一表面与该绝缘体的一表面暴露于一气相混合物，其中该气相混合物包括至少一氨气与一含氟的化合物；以及于温度约100℃～200℃的条件下加热该基材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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