[发明专利]隔离结构的制法有效
| 申请号： | 201010158581.3 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101980358A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 林益安;连浩明;陈嘉仁;林志忠;林毓超;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制法 | ||
1.一种隔离结构的制法，包括以下步骤：
形成一垫氧化层于一基材的上表面上；
形成一开口于该垫氧化层中，以暴露该基材的一部分；
蚀刻该基材的暴露部分，以形成一沟槽于该基材中；
用绝缘体填充该沟槽；
将该垫氧化层的一表面与该绝缘体的一表面暴露于一气相混合物，其中该气相混合物包括至少一氨气与一含氟的化合物；以及
于温度约100℃～200℃的条件下加热该基材。
2.如权利要求1所述的隔离结构的制法，其中该隔离结构部分地突出于该基材的上表面。
3.如权利要求1所述的隔离结构的制法，其中该含氟化合物包括氟化氢或三氟化氮。
4.如权利要求1所述的隔离结构的制法，其中该气相混合物包括氟化氢或三氟化氮。
5.如权利要求4所述的隔离结构的制法，其中该气相混合物包括3单位氟化氢对1单位三氟化氮的比例。
6.如权利要求1所述的隔离结构的制法，其中该气相混合物包括三氟化氮与氨气。
7.如权利要求6所述的隔离结构的制法，其中该气相混合物包括1单位三氟化氮对1单位氨气的比例。
8.如权利要求1所述的隔离结构的制法，其中将该垫氧化层的表面与该绝缘体的表面暴露于该气相混合物，是于压力约0.1mTorr～10mTorr、温度约20℃～40℃的条件下进行。
9.如权利要求1所述的隔离结构的制法，其中加热该基材的同时，通入一载体气体至该基材上。
10.如权利要求9所述的隔离结构的制法，其中该载体气体包括氮气、氦气、氩气或上述的组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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