[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010155948.6 申请日: 2010-04-08
公开(公告)号: CN101866901A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 中村弘幸;武藤晃;小池信也;锦泽笃志;佐藤幸弘;船津胜彦 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;陈宇萱
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地,在树脂密封型半导体封装中,为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上,而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化,而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:包括导体的管芯焊盘;多个引线部分,其位于所述管芯焊盘的外围,并且具有内引线部分和外引线部分;半导体芯片,其经由管芯键合材料而被安装在所述管芯焊盘的顶表面上;绝缘树脂,用于密封所述内引线部分、所述管芯焊盘的一部分以及所述半导体芯片,其中所述管芯焊盘的、位于所述顶表面相对侧的底表面暴露在所述绝缘树脂之外,其中对所述管芯焊盘所述顶表面的、将要与所述绝缘树脂相接触的部分进行表面粗糙化,以及其中对所述管芯焊盘所述底表面和所述外引线部分不进行表面粗糙化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010155948.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top