[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括导体的管芯焊盘；

多个引线部分，其位于所述管芯焊盘的外围，并且具有内引线部分和外引线部分；

半导体芯片，其经由管芯键合材料而被安装在所述管芯焊盘的顶表面上；

绝缘树脂，用于密封所述内引线部分、所述管芯焊盘的一部分以及所述半导体芯片，

其中所述管芯焊盘的、位于所述顶表面相对侧的底表面暴露在所述绝缘树脂之外，

其中对所述管芯焊盘所述顶表面的、将要与所述绝缘树脂相接触的部分进行表面粗糙化，以及

其中对所述管芯焊盘所述底表面和所述外引线部分不进行表面粗糙化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中对所述内引线部分不进行表面粗糙化。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述管芯焊盘包括具有铜作为其主要成分的导体，并且对所述内引线部分利用具有镍作为其主要成分的导体进行镀敷。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括悬挂引线部分，

其中所述悬挂引线部分与所述管芯焊盘作为整体来放置，并且被放置为从顶部查看时所述悬挂引线部分从所述管芯焊盘突出，

其中所述悬挂引线部分利用所述绝缘树脂进行密封，

其中所述悬挂引线部分的表面从所述绝缘树脂暴露出来，以及

其中对所述悬挂引线部分不进行表面粗糙化。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述管芯焊盘的、与所述绝缘树脂相接触并且进行了表面粗糙化的部分的面积大于所述半导体芯片与所述绝缘树脂接触的部分的面积。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述管芯焊盘的所述顶表面的将与所述绝缘树脂相接触的部分具有算术平均粗糙度从0.2μm到0.5μm的凹陷和凸起。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述管芯键合材料是具有导电性的焊接材料，以及

其中所述管芯焊盘的所述底表面充当电极。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述管芯键合材料是树脂粘合材料。

9.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：

(a)制备具有管芯焊盘和多个引线部分的引线框；

(b)对所述引线框部分地进行表面粗糙化；

(c)经由管芯键合材料将半导体芯片键合到所述管芯焊盘的顶表面上；

(d)利用绝缘树脂来密封每个所述引线部分的内引线部分、所述管芯焊盘的一部分以及所述半导体芯片，

其中在步骤(b)中，在利用保护部件覆盖所述引线框的一部分的同时执行刻蚀，以便对所述保护部件未覆盖的另一部分的表面进行粗糙化，

其中在步骤(b)中，对所述管芯焊盘的将要与步骤(d)中用于密封的所述绝缘树脂相接触的部分进行表面粗糙化，

其中在步骤(b)中，对所述管芯焊盘的位于第一主表面在厚度方向上的相对侧的第二主表面不进行表面粗糙化，

其中在步骤(b)中，对每个所述引线部分的外引线部分不进行表面粗糙化，以及

其中在步骤(d)中，执行利用所述绝缘树脂的密封，从而暴露出所述管芯焊盘的底表面。

10.根据权利要求9的半导体器件的制造方法，

其中在步骤(b)中，对所述内引线部分不进行表面粗糙化。

11.根据权利要求9的半导体器件的制造方法，

其中在步骤(a)中，所述引线框包括具有铜作为其主要成分的导体，以及

其中在步骤(a)中，利用具有镍作为其主要成分的导体对所述内引线部分进行镀敷。

12.根据权利要求9的半导体器件的制造方法，

其中在步骤(a)中制备的所述引线框具有悬挂引线部分，用于支持所述管芯焊盘，

其中在步骤(b)中，利用保护部件覆盖所述悬挂引线部分，以防止表面粗糙化，

其中在步骤(d)中，利用所述绝缘树脂对所述悬挂引线部分进行封装，以便暴露其一部分，以及

其中所述制造方法进一步包括在步骤(d)之后的切削所述悬挂引线部分未被所述绝缘树脂密封的部分的步骤。