[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010155542.8 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101859762A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 吴国雄;罗明健 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/482;H01L23/52;H01L21/77;H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，用以制造半导体芯片与穿硅导孔(TSV)连接。所述穿硅导孔穿透一基板以供信号连线，也可提供电源和接地连线。于一实施例中，此穿硅导孔允许这些连线制作于该基板全部区域，而非仅位于该基板的周边区域。于另一实施例中，该穿硅导孔是用于一电源矩阵的一部分，以供应电源和接地穿透该基板连接至所述多个有源元件和金属化层。本发明可导致较小的整体装置面积，还可使得所述整体尺寸的限制降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基板，具有一第一面和对向该第一面的一第二面，该基板于该第二面上具有一周边区域和该周边区域所环绕的一内部区域；多个有源元件，位于该基板的该第一面上；一第一组导电孔，延伸穿透该基板，一或多个该第一组导电孔位于该周边区域中；以及一第二组导电孔，延伸穿透该基板，一或多个该第一组导电孔位于该内部区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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