[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板，具有一第一面和对向该第一面的一第二面，该基板于该第二面上具有一周边区域和该周边区域所环绕的一内部区域；

多个有源元件，位于该基板的该第一面上；

一第一组导电孔，延伸穿透该基板，一或多个该第一组导电孔位于该周边区域中；以及

一第二组导电孔，延伸穿透该基板，一或多个该第一组导电孔位于该内部区域中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二组导电孔位于一条线上将该基板的该第二面分隔成一第一区块和一第二区块。

3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多条重新分布线，设置于该基板的该第二面上，所述重新分布线电性连接至该第二组导电孔。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

多个金属化层，位于该基板的该第一面之上；以及

一连续的保护层，位于所述多个金属化层之上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二组导电孔排列成至少一第一直线和一第二直线，其中该第一直线平行于该基板的该第一面，以及该第二直线垂直于第一直线且该第二直线与该第一直线分开。

6.一种半导体装置，包括：

一第一基板，具有一第一面和一第二面；

多个有源元件和一金属化区域，位于该第一基板的该第一面上；以及

一电源矩阵，位于该第一基板的该第二面上。

7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括多个导电孔，延伸穿透该第一基板，并使所述多个有源元件和该金属化区域电性连接至该电源矩阵。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该电源矩阵还包括：

一重新分布层，电性连接至所述多个导电孔；以及

多个外部连接，电性连接至该重新分布层。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该重新分布层包括多条电源重新分布线和接地重新分布线，排列成交错的列。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中各个外部连接是位于一导电孔的上方，该导电孔相邻于不多于一个其他导电孔，其位于另一外部连接的下方。

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一基板，具有一第一面和一第二面；

形成多个有源元件和一金属化区域于该基板的该第一面之上；以及

形成一电源矩阵于该第一基板的该第二面之上。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，还包括形成多个导电孔使得该电源矩阵电性连接至所述多个有源元件和该金属化区域，所述多个导电孔延伸穿透该基板。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，还包括：

形成一重新分布层，使其与所述多个导电孔电性接触；以及

形成多个外部连接，使其与该重新分布层电性接触。