[发明专利]具有增强的写入性能和热稳定性的磁记录介质无效
| 申请号： | 201010155476.4 | 申请日： | 2010-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101882445A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 卞波;王首涛;W·徐;A·海卢;M·鲁;C·C·陈;T·P·诺兰;A·Y·多宾 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有增强的写入性能和热稳定性的磁记录介质，具体涉及带有用于改进写入性能的增强的磁性能的记录介质。实施例包括或涉及方法、系统和组件，其在减少为获得均一磁性能而产生的缺陷的同时能改进写入性能，均一的磁性能例如均一的高各向异性和窄的开关磁场分布。一些实施例包括带有交互调整层的记录介质，所述交互调整层插入在硬层和软、半软或薄的半硬层之间，用来最大程度地改进写入性能。优选地，交互调整层是颗粒状并且减少或优化磁性记录或存储设备中硬层和软、半软或半硬层之间的垂直耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 写入 性能 热稳定性 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，包括：具有约10kOe或更大的各向异性磁场的第一磁性记录层，具有低于所述第一磁性记录层的的各向异性磁场的各向异性磁场的第二磁性记录层，以及位于所述第一和第二磁性记录层之间的交互调整层；其中，所述交互调整层包括颗粒状层。
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