[发明专利]具有增强的写入性能和热稳定性的磁记录介质无效
申请号: | 201010155476.4 | 申请日: | 2010-02-20 |
公开(公告)号: | CN101882445A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 卞波;王首涛;W·徐;A·海卢;M·鲁;C·C·陈;T·P·诺兰;A·Y·多宾 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 项丹 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 增强 写入 性能 热稳定性 记录 介质 | ||
相关应用
下面的主题涉及公开号为20060024530,20060269797,20070064345和20070287031,以及授权专利号为6777112,7192664,6914749和7201977的美国专利,在本申请的整体内容以及所有目的中,这些专利中的全部内容及所有目的均被引入本文作为参考。
技术领域
本发明涉及带有用于改进写入性能的增强的磁性的记录介质。具体地,本发明涉及当减少为获得均一磁性能而减少缺陷时允许具有改进的写入性能的方法、系统和组件,所述均一磁性能例如均一的高各向异性(Hk)和窄的开关磁场分布(SFD)。
背景技术
磁性介质广泛用于各种领域,特别是在计算机工业中用来进行数据/信息存储和检索应用,典型的是采用磁盘格式,并且一直在为提高面记录密度(即,磁介质的位密度或者位/单元面积)的目标努力。传统的薄膜型磁介质(其中,细粒度的多晶磁性合金层用作活性记录层)一般根据磁材料的颗粒的磁畴取向分为“纵向”或者“垂直”类型。
通常,记录介质采用含有多晶CoCr或者CoPt氧化物的膜来制造。在多晶膜中富含Co的区域是铁磁性的,而富含Cr或氧化物的区域则是无磁区。邻近的铁磁畴之间的磁交互作用被其间的无磁区域削弱。
一种传统的纵向记录介质,硬盘型的磁记录介质通常用于计算机相关应用中,其包括一个实质上坚硬的无磁的基体,通常为铝(Al)或者铝基合金,例如铝镁(Al-Mg)合金,和随后以沉积或者其他形式在基体表面上形成的镀层,例如非晶镍-磷(Ni-P);一个双层,包括一个非晶或者细晶粒的材料的种子层,例如,镍-铝(Ni-Al)或者铬-钛(Cr-Ti)合金,和通常以铬或者铬基合金为材料的多晶底层;磁记录层,例如,带有铂(Pt)、Cr、硼(B)等中的一种或多种的钴(Co)基合金层;通常包含碳(C)例如类金刚石碳(“DLC”)的保护性覆盖层;以及润滑面层,例如,全氟聚醚层。基体、镀层、种子层、中间层、磁性层或者覆盖层中的任何一层都可以借助合适的物理气象沉积(“PVD”)技术(例如溅射)来沉积,并且润滑面层通常采用浸渍或者喷涂方法来沉积。碳覆盖层通常在带有氮气、氢气或者乙烯的氩气中沉积。保护性覆盖层保护磁记录层避免腐蚀和减少磁盘与读/写磁头之间的摩擦力。润滑薄层可以被用到保护性覆盖层的表面,通过减少保护性覆盖层的摩擦和摩损来增强磁头和磁盘接触面的摩擦性能。
在纵向介质的操作上,磁性层优选借助于一个写入传感器或者写入磁头局部磁化,以进行记录然后储存数据/信息。写入传感器或写磁头可包含一个主(写入)磁极以及辅助的磁极并形成一个高度集中的磁场用来改变基于被储存信息的位的介质磁化方向。当借助于写入传感器产生的局部磁场超过记录介质层的材料的矫顽磁力时,在该磁场中的多晶材料的颗粒被磁化。当通过写入传感器产生的磁场被移走之后,颗粒仍然维持它们的磁性。磁化方向与施加的磁场的方向相匹配。记录介质层的磁化随后能够在一个读出传感器或者读出磁头中产生一个电响应,使储存的信息被读出。
一直致力于增加磁性介质的面记录密度和信号与介质噪音比(“SMNR“)。在这点上,已经发现,所谓的垂直的记录介质(在磁性层中带有垂直的磁各向异性以及在垂直于磁性层的表面的方向上形成磁化的记录介质)在获得非常高的位密度方面优于许多传统的纵向介质,并且不受与后者相关的热稳定性方面的限制。在垂直磁记录介质中,剩下的磁化形成在垂直于磁介质表面的方向(易磁化轴)上,通常该磁介质表面为在合适的基体上的磁性材料层。
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