[发明专利]硅基液晶器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010154836.9 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102221761A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄河;李卫民 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/04;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅基液晶器件及其制作方法。所述硅基液晶器件包括：半导体衬底，自下而上依次位于半导体衬底上的开关晶体管、存储电容器及反射控制结构；所述开关晶体管采用MOS晶体管结构，包括栅极、源极及漏极；所述存储电容器包括第一极板与第二极板，所述反射控制结构包括反射电极、透明电极以及所述反射电极与透明电极之间的液晶薄膜；其中：所述第二极板与反射电极为同一极板，与开关晶体管的源极电连接，所述第二极板的上表面为反射镜面结构。本发明的硅基液晶器件的存储电容器上极板同作为反射电极使用，这有效简化了器件结构，降低了工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基液晶器件，其特征在于，包括：半导体衬底，自下而上依次位于所述半导体衬底上的开关晶体管、存储电容器及反射控制结构；所述开关晶体管采用MOS晶体管结构，包括栅极、源极及漏极；所述存储电容器包括第一极板与第二极板，所述反射控制结构包括反射电极、透明电极以及所述反射电极与透明电极之间的液晶薄膜；其中：所述第二极板与反射电极为同一极板，并与所述开关晶体管的源极电连接，所述第二极板的上表面为反射镜面结构。
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