[发明专利]硅基液晶器件及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基液晶器件，其特征在于，包括：半导体衬底，自下而上依次位于所述半导体衬底上的开关晶体管、存储电容器及反射控制结构；所述开关晶体管采用MOS晶体管结构，包括栅极、源极及漏极；所述存储电容器包括第一极板与第二极板，所述反射控制结构包括反射电极、透明电极以及所述反射电极与透明电极之间的液晶薄膜；其中：所述第二极板与反射电极为同一极板，并与所述开关晶体管的源极电连接，所述第二极板的上表面为反射镜面结构。

2.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，还包括：所述开关晶体管和存储电容器间的第一介电层及所述第一介电层上的位线，所述位线位于开关晶体管的漏极上方，并通过第一介电层中的第一插塞与所述漏极相连。

3.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，还包括：所述开关晶体管和存储电容器间的第一介电层、所述第一介电层上的第二介电层及第二介电层上的第三介电层，所述第一介电层中具有第二插塞，所述第二插塞的一端与源极相连，另一端与第二极板的下表面相连，通过所述第二插塞，第二极板与开关晶体管的源极电连接。

4.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，所述反射控制结构上形成有玻璃极板。

5.如权利要求1或3所述的硅基液晶器件，其特征在于，所述第二极板为铝或银。

6.如权利要求1或3所述的硅基液晶器件，其特征在于，所述第二极板的厚度为2000埃至4000埃。

7.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，所述存储电容器的电容值为50飞法至90飞法。

8.一种硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成开关晶体管，所述开关晶体管包括栅极、栅极两侧半导体衬底中的源极与漏极；

在所述开关晶体管上形成存储电容器，所述存储电容器自下而上依次包括第一极板、第三介电层以及第二极板，所述第二极板与源极相连，所述第二极板上表面为反射镜面结构；

在所述第二极板上依次形成液晶薄膜与透明电极。

9.如权利要求8所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述开关晶体管上形成存储电容器之前，在所述开关晶体管上形成与漏极相连的位线。

10.如权利要求9所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，在所述开关晶体管上形成与漏极相连的位线包括：

在所述开关晶体管上形成第一介电层；

图形化所述第一介电层，移除漏极上方的第一介电层，形成介电层开口，露出漏极表面；

在所述第一介电层上形成导电材料；

平坦化所述导电材料，露出第一介电层表面，所述第一介电层开口中的导电材料形成第一插塞；

在所述第一插塞上形成位线。

11.如权利要求8所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，在所述开关晶体管上形成存储电容器包括：

在所述开关晶体管上形成第一介电层；

在所述第一介电层中形成第二插塞，所述第二插塞位于源极上方；

在所述第一介电层上依次形成第二介电层与第一金属层；

图形化所述第一金属层，移除第二插塞上方的第一金属层，形成第一开口，所述第一开口与第二插塞对准，所述第一金属层用于形成第一极板；

在所述第一金属层上形成第三介电层，图形化所述第三介电层及第二介电层，形成贯穿第三介电层及第二介电层的第二开口，露出所述第二插塞；

在所述第三介电层上形成第二金属层，所述第二金属层填充满第二介电层及第三介电层的第二开口；

对所述第二金属层进行化学机械抛光，所述第二金属层的上表面形成反射镜面，所述第二金属层用于形成第二极板。

12.如权利要求11所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述第二金属层采用铝或银。

13.如权利要求11所述的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述第二金属层经过化学机械抛光后，厚度为2000埃至4000埃。

14.如权利要求11所属的硅基液晶器件的制作方法，其特征在于，所述第一金属层采用钨或铝。