[发明专利]通孔形成方法有效
| 申请号： | 201010154826.5 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102222640A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 孙武;张海洋;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通孔形成方法，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上依次形成有金属导线、覆盖所述金属导线及半导体基底的层间介质层、及位于所述层间介质层上的硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层内具有开口图案；以所述光刻胶层为第一掩膜，沿开口图案刻蚀部分厚度的硬掩膜层，形成开口；去除所述光刻胶层之后，以硬掩膜为第二掩膜，沿所述开口，刻蚀残余的硬掩膜层，露出层间介质层的表面；继续刻蚀层间介质层，直至露出金属导线，形成通孔。本发明在去除光刻胶层时，因仍有残余的硬掩模层，层间介质层不会暴露在光刻胶去除环境中，所以其不会被去除环境中的气体所损坏，保护层间介质层，同时提高通孔形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上依次形成有金属导线、覆盖所述金属导线及半导体基底的层间介质层、及位于所述层间介质层上的硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层内具有开口图案；以所述光刻胶层为第一掩膜，沿开口图案刻蚀部分厚度的硬掩膜层，形成开口；去除所述光刻胶层之后，以硬掩膜为第二掩膜，沿所述开口，刻蚀残余的硬掩膜层，露出层间介质层的表面；继续刻蚀层间介质层，直至露出金属导线，形成通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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