[发明专利]一种电容的形成方法有效
| 申请号： | 201010154714.X | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222606A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 杨承;陶波;罗飞;吴金刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成导电层；在所述导电层上形成半球形颗粒多晶硅层；对所述半球形颗粒多晶硅层进行杂质掺杂；在杂质掺杂之后，对上述结构放于氧气氛围中进行退火工艺。本发明通过在低浓度氧气氛围中进行短时间退火，所述氧原子可以破坏半球形颗粒多晶硅层的接触表面上的晶格，使其发生晶格畸变，阻止位于所述接触表面上的杂质向半球形颗粒多晶硅内部扩散，进而可以在反向偏置时，抑制下电极的接触表面上形成耗尽层，以降低损耗率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电容的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成导电层；在所述导电层上形成半球形颗粒多晶硅层，作为第一电极；对所述半球形颗粒多晶硅层进行杂质掺杂；在掺杂后的半球形颗粒多晶硅层上形成介质层，及位于介质层上的第二电极；其特征在于，在形成介质层前，还包括对掺杂后的半球形颗粒多晶硅层进行退火工艺，所述退火工艺在氧气氛围中进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
