[发明专利]一种电容的形成方法

权利要求书

1.一种电容的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成导电层；在所述导电层上形成半球形颗粒多晶硅层，作为第一电极；对所述半球形颗粒多晶硅层进行杂质掺杂；在掺杂后的半球形颗粒多晶硅层上形成介质层，及位于介质层上的第二电极；

其特征在于，在形成介质层前，还包括对掺杂后的半球形颗粒多晶硅层进行退火工艺，所述退火工艺在氧气氛围中进行。

2.根据权利要求1所述电容的形成方法，其特征在于，所述退火工艺中，氧气的浓度范围为8％～10％。

3.根据权利要求1所述电容的形成方法，其特征在于，所述退火的温度范围为800℃～900℃，所述退火的时间为5秒～20秒。

4.根据权利要求3所述电容的形成方法，其特征在于，所述退火温度为850℃，所述退火时间为10秒。

5.根据权利要求1所述电容的形成方法，其特征在于，对所述半球形颗粒多晶硅层掺杂的杂质为磷离子。

6.根据权利要求5所述电容的形成方法，其特征在于，对所述半球形颗粒多晶硅层掺杂的步骤包括将所述半球形颗粒多晶硅层暴露于磷化氢气体中进行掺杂，所述掺杂的温度范围为600℃～700℃，时间为90分钟～150分钟，压强为5Torr～8Torr。

7.根据权利要求1所述电容的形成方法，其特征在于，在介质层形成之前，还包括对所述退火后的半球形颗粒多晶硅层进行氮化，在所述半球形颗粒多晶硅层上形成氮化硅层。

8.根据权利要求7所述电容的形成方法，其特征在于，所述氮化包括：在含有氮气的环境中，对所述退火后的半球形颗粒多晶硅层进行氮化，以形成氮化硅层，所述退火范围为650℃至750℃，所述退火时间为120分钟至200分钟。