[发明专利]作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010153537.3 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN101826587A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 郝霄鹏;刘晓燕;巩海波;吴拥中;徐现刚 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 于冠军
地址: 250100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球制备方法,包括:(1)按常规MOCVD生长LED外延片的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,形成外延片;(2)在外延片上按常规工艺制备P电极、N电极和半切;(3)在处理的外延片上P电极一面铺设一层由聚苯乙烯球紧密排布组成的单层膜,聚苯乙烯球的直径为100nm-1um;(4)将铺满PS球的外延片在110℃-120℃下烘烤5秒-60秒,5秒-10秒内冷却到室温,得到周期性排列的聚苯乙烯半球。本发明使用聚苯乙烯球排列的单层膜经烘烤得到PS半球的周期性阵列,并作为微透镜来提高LED的出光效率,具有成本低、简单易行、可控性高、均匀性好、能够实现周期性排列的特点。
搜索关键词: 作为 提高 led 效率 透镜 聚苯乙烯 半球 制备 方法
【主权项】:
一种作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球的制备方法,其特征在于,包括以下步骤步骤:(1)按常规金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长LED外延片的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,形成外延片;(2)在外延片上按常规工艺制备P电极、N电极和半切;(3)在经过步骤(2)处理的外延片上P电极一面铺设一层由聚苯乙烯(PS)球紧密排布组成的单层膜,聚苯乙烯球的直径为100nm-1um;(4)将铺满PS球的外延片在110℃-120℃下烘烤5秒钟-60秒钟,然后使其在5秒钟-10秒钟内急速冷却到室温,得到周期性排列的聚苯乙烯半球。
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