[发明专利]一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM无效
| 申请号： | 201010153437.0 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102237128A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;孟超;董存霖;程宽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/403 | 分类号： | G11C11/403;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM(伪静态随机存储器)，属于动态随机存储器(DRAM)技术领域。该刷新操作方法利用增益单元包括两组相互独立的字线和两组相互独立的位线的特点，将所述增益单元存储阵列的其中一行的刷新操作与该增益单元存储阵列的其他任一行的外部访问操作并行进行；该PSRAM也对应包括刷新控制电路，所述刷新控制电路可操作地用于控制增益单元存储阵列中的一行的刷新操作与所述增益单元存储阵列的其他行的外部访问操作并行进行。该刷新操作方法大大提高了增益单元存储阵列的操作速度，使用该刷新操作方法的PSRAM具有操作速度快、与外部SRAM接口兼容的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刷新 操作方法 以及 基于 psram | ||
【主权项】：
一种增益单元存储阵列的刷新操作方法，所述增益单元包括两组相互独立的字线和两组相互独立的位线，其特征在于，所述增益单元存储阵列的其中一行的刷新操作与该增益单元存储阵列的其他任一行的外部访问操作并行进行。
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