[发明专利]一种TiO2/ZrO2两层堆栈结构高介电常数栅介质薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010152819.1 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101831618A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王浩;叶芸;王毅;叶葱;汪宝元;张军 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种能够同时获得高介电常数且结晶温度有一定程度提高的TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜及其制备方法。它以硅片为基片，其特征在于用磁控溅射技术在Si基片上先沉积一层ZrO2薄膜，再在其上沉积一层TiO2薄膜，形成TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜。本发明采用磁控溅射技术，制备了TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜，Ti的引入可以有效的抑制薄膜的晶化，结晶温度有一定程度的提高；同时还可以获得合适的高介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tio sub zro 堆栈 结构 介电常数 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TiO2/ZrO2两层堆栈结构高介电常数栅介质薄膜及其制备方法，它以硅片为基片，其特征在于用磁控溅射技术在其上先沉积一层ZrO2薄膜，再在其上沉积一层TiO2薄膜，得到TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜，将薄膜在O2中进行退火处理，退火温度为300--500℃，退火30min，其中400±20℃效果最好。
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