[发明专利]一种TiO2/ZrO2两层堆栈结构高介电常数栅介质薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010152819.1 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101831618A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王浩;叶芸;王毅;叶葱;汪宝元;张军 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tio sub zro 堆栈 结构 介电常数 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种TiO2/ZrO2两层堆栈结构高介电常数栅介质薄膜及其制备方法，它以硅片为基片，其特征在于用磁控溅射技术在其上先沉积一层ZrO2薄膜，再在其上沉积一层TiO2薄膜，得到TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜，将薄膜在O2中进行退火处理，退火温度为300--500℃，退火30min，其中400±20℃效果最好。
2.根据权利要求1所述的一种TiO2/ZrO2两层堆栈结构高介电常数栅介质薄膜的制备方法，其特征在于步骤为：
a、选用纯度为99.99％的ZrO2靶和TiO2靶为溅射靶材，将其分别放置在溅射室内的两个旋转靶台上，分别调节两者的靶基距为4--8em，将清洗干净的Si片(P型、电阻率为8--13Ω·cm)放在沉积室内的基片托上；
b、将溅射室本底真空抽至2.0--2.5×10-4Pa，然后通入高纯氩气，通过质量流量计控制氩气的流量为30--70sccm，调节溅射室主阀使溅射室工作气压稳定在0.3--1Pa；
c、采用磁控溅射技术在Si基片上沉积一层ZrO2薄膜，调节溅射电压与溅射电流，使得溅射功率约为100--150W，溅射时间为3--5min；
d、采用磁控溅射技术在ZrO2薄膜上面再沉积一层TiO2薄膜，调节溅射电压与溅射电流，使得溅射功率约为100--150W，溅射时间为3--5min；
e、薄膜沉积全部完成后，将薄膜取出在O2中进行退火处理，退火温度为300--500℃，退火30min，其中400±20℃效果最好。
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