[发明专利]基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置有效
| 申请号： | 201010152392.5 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101812723A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置。本发明的基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区；生长过程中籽晶放置在坩埚底部，不需粘贴或固定籽晶至坩埚盖上。本发明具有如下特点：使用碳化硅多晶晶锭作为原料，并固定在坩埚顶部。采用本方法及装置，可以有效地避免由于籽晶粘贴或固定不当，导致生长过程中籽晶脱落或者生长得到的晶体应力过大，同时，由于采用多晶晶锭作为原料，气相组分在生长腔内分布更加均匀，生长得到的晶体均匀性更好，生长重复性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 物理 相传 技术 生长 碳化硅 体单晶 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法，其特征在于，在碳化硅体单晶的生长过程中，籽晶位于坩埚底部，且位于低温区，原料位于坩埚顶部，且位于高温区。
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