[发明专利]一种具有二维光子晶体的发光二极管有效
| 申请号： | 201010152183.0 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101814562A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李垚;詹耀辉;赵九蓬;丁艳波;葛邓腾 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种具有二维光子晶体的发光二极管，它涉及具有光子晶体的发光二极管。本发明解决现有发光二极管出光效率低，及利用传统刻蚀、光刻或者压印技术对半导体有源层具有损伤，导致非辐射复合增加的问题。本发明发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、有源层、P型掺杂半导体层、电流扩散层、P型电极和N型电极，其中在N型掺杂半导体层与空气的界面上，以及P型掺杂半导体层与空气的界面上覆盖二维光子晶体层，二维光子晶体层为单层微球有序排列结构，微球粒径50nm～5μm。二维光子晶体层改善半导体层与外界的折射律差值，利用弱光子晶体效应，提高了出光率，较传统发光二极管提高了10%~20%。适宜于大面积和工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 二维 光子 晶体 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有二维光子晶体的发光二极管，包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型掺杂半导体层（3）、有源层（4）、P型掺杂半导体层（5）、电流扩散层（6）、P型电极（7）和N型电极（8），P型电极（7）通过电流扩散层（6）与P型掺杂半导体层（5）相接，N型电极（8）直接与N型掺杂半导体层（3）相接，其特征在于在N型掺杂半导体层（3）与空气的界面上，以及P型掺杂半导体层（5）与空气的界面上覆盖有二维光子晶体层（9），二维光子晶体层（9）为单层微球有序排列结构，微球的粒径为0.05μm～5μm。
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