[发明专利]一种具有二维光子晶体的发光二极管有效
| 申请号： | 201010152183.0 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101814562A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李垚;詹耀辉;赵九蓬;丁艳波;葛邓腾 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 二维 光子 晶体 发光二极管 | ||
1.一种具有二维光子晶体的发光二极管，其特征在于：包括蓝宝石衬底 (1)、GaN缓冲层(2)、氮化镓N型掺杂半导体层(3)、氮化镓有源层(4)、 磷化镓P型掺杂半导体层(5)、电流扩散层(6)、Ni/Au复合P型电极(7)、 Ni/Au复合N型电极(8)；
其中，采用MOCVD方法在蓝宝石衬底(1)上依次沉积GaN缓冲层(2)、 氮化镓N型掺杂半导体层(3)、氮化镓有源层(4)和磷化镓P型掺杂半导 体层(5)，然后磁控溅射沉积制备ITO电流扩散层，并在透明导电层之上制 备二氧化硅掩蔽层，厚度为700nm；通过光刻和等离子体刻蚀，剥离二氧化 硅层，且使氮化镓N型掺杂半导体层(3)的表面积的部分面积暴露于空气 中，制备得到发光二极管的台面结构；采用掩模蒸镀方式在电流扩散层(6) 上蒸镀沉积Ni/Au复合P型电极(7)，在暴露于空气中的氮化镓N型掺杂半 导体层(3)上掩模蒸镀沉积Ni/Au复合N型电极(8)；将Ni/Au复合P型 电极(7)和Ni/Au复合N型电极(8)进行保护，然后采用提拉法制备Ag 包裹的SiO2微球六方有序排列的二维光子晶体层(9)，微球的粒径为1μm；
其中，采用提拉法制备Ag包裹的SiO2微球六方有序排列的二维光子晶 体层(9)，是指将处理后的蓝宝石衬底(1)浸没在Ag包裹的SiO2微球胶 体溶液中，温度为80℃，提拉速度设定在80μm/s，提拉时间为30min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010152183.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
