[发明专利]一种非挥发性存储器无效
| 申请号： | 201010149964.4 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102222671A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 谢文妞 | 申请（专利权）人： | 谢文妞 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/51 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 324000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非挥发性存储器，属于微电子器件及存储器技术领域。所述非挥发性存储器采用介电常数可调的材料替代或者部分替代MOS晶体管中的栅介质氧化层，从而可以改变器件的输出特性，实现数据存储。本发明的非挥发性存储器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统CMOS工艺兼容的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储器，其特征包括：衬底、源漏、侧墙、介电常数可调栅介质和栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
