[发明专利]一种非挥发性存储器无效

专利信息
申请号: 201010149964.4 申请日: 2010-04-19
公开(公告)号: CN102222671A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 谢文妞 申请(专利权)人: 谢文妞
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/51
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 324000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 挥发性 存储器
【权利要求书】:

1.一种非挥发性存储器,其特征包括:衬底、源漏、侧墙、介电常数可调栅介质和栅电极。

2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器,其特征在于,该非挥发性存储器的介电常数可调栅介质在电信号或者光信号或者热信号下其材料的介电常数是可变的。

3.根据权利要求2所述的介电常数可调栅介质,其特征在于,该介电常数可调栅介质材料的介电常数在电信号或者光信号或者热信号下发生变化后可以稳定的保持,并且当施加相对应的电信号或者光信号或者热信号后材料的介电常数又可以变回到初始值。

4.根据权利要求2所述的介电常数可调栅介质,其特征在于,发生介电常数变化的可以是整层栅介质,也可以是多层叠层栅介质中的某一层或者某几层。

5.根据权利要求2所述的介电常数可调栅介质的材料为无机材料或者有机材料。

6.根据权利要求1所述的非挥发性存储器,其特征在于,该非挥发性存储器的栅电极材料为金属、多晶硅、金属氮化物或者金属硅化物。

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