[发明专利]一种非挥发性存储器无效
| 申请号: | 201010149964.4 | 申请日: | 2010-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN102222671A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
| 发明(设计)人: | 谢文妞 | 申请(专利权)人: | 谢文妞 |
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/51 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 324000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 挥发性 存储器 | ||
1.一种非挥发性存储器,其特征包括:衬底、源漏、侧墙、介电常数可调栅介质和栅电极。
2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器,其特征在于,该非挥发性存储器的介电常数可调栅介质在电信号或者光信号或者热信号下其材料的介电常数是可变的。
3.根据权利要求2所述的介电常数可调栅介质,其特征在于,该介电常数可调栅介质材料的介电常数在电信号或者光信号或者热信号下发生变化后可以稳定的保持,并且当施加相对应的电信号或者光信号或者热信号后材料的介电常数又可以变回到初始值。
4.根据权利要求2所述的介电常数可调栅介质,其特征在于,发生介电常数变化的可以是整层栅介质,也可以是多层叠层栅介质中的某一层或者某几层。
5.根据权利要求2所述的介电常数可调栅介质的材料为无机材料或者有机材料。
6.根据权利要求1所述的非挥发性存储器,其特征在于,该非挥发性存储器的栅电极材料为金属、多晶硅、金属氮化物或者金属硅化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





