[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供由一个岛状半导体构成的反向器，并有关使用高密度环绕式栅极晶体管的互补金属氧化物半导体反向器电路所构成的半导体器件。该半导体器件具备：第一栅极绝缘膜，环绕岛状半导体层的周围；栅极电极，环绕第一栅极绝缘膜的周围；第二栅极绝缘膜，环绕栅极电极的周围；筒状半导体层，环绕第二栅极绝缘膜的周围；第一个第一导电型高浓度半导体层，设置于岛状半导体层的上部；第二个第一导电型高浓度半导体层，设置于岛状半导体层的下部；第一个第二导电型高浓度半导体层，设置于筒状半导体层的上部；以及第二个第二导电型高浓度半导体层，设置于筒状半导体层的下部。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，存在于第一岛状半导体层周围上而至少与其一部分相接的第一栅极绝缘膜，该第一栅极绝缘膜与栅极电极的一面相接，而该栅极电极的另一面与第二栅极绝缘膜相接，该第二栅极绝缘膜至少与第二半导体层相接，且该半导体器件具备：第一个第一导电型高浓度半导体层，设置于该第一岛状半导体层的上部；第二个第一导电型高浓度半导体层，设置于该第一岛状半导体层的下部；第一个第二导电型高浓度半导体层，设置于第二半导体层的上部；以及第二个第二导电型高浓度半导体层，设置于第二半导体层的下部。