[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，存在于第一岛状半导体层周围上而至少与其一部分相接的第一栅极绝缘膜，该第一栅极绝缘膜与栅极电极的一面相接，而该栅极电极的另一面与第二栅极绝缘膜相接，该第二栅极绝缘膜至少与第二半导体层相接，且该半导体器件具备：

第一个第一导电型高浓度半导体层，设置于该第一岛状半导体层的上部；

第二个第一导电型高浓度半导体层，设置于该第一岛状半导体层的下部；

第一个第二导电型高浓度半导体层，设置于第二半导体层的上部；以及

第二个第二导电型高浓度半导体层，设置于第二半导体层的下部。

2.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第一栅极绝缘膜，环绕岛状半导体层的周围；

栅极电极，环绕该第一栅极绝缘膜的周围；

第二栅极绝缘膜，环绕该栅极电极的周围；

筒状半导体层，环绕该第二栅极绝缘膜的周围；

第一个第一导电型高浓度半导体层，设置于岛状半导体层的上部；

第二个第一导电型高浓度半导体层，设置于岛状半导体层的下部；

第一个第二导电型高浓度半导体层，设置于筒状半导体层的上部；以及

第二个第二导电型高浓度半导体层，设置于筒状半导体层的下部。

3.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第一栅极绝缘膜，环绕岛状半导体层的周围；

栅极电极，环绕该第一栅极绝缘膜的周围；

第二栅极绝缘膜，环绕该栅极电极的周围；

筒状半导体层，环绕该第二栅极绝缘膜的周围；

第一个第一导电型高浓度半导体层，设置于岛状半导体层的上部；

第二个第一导电型高浓度半导体层，设置于岛状半导体层的下部；

第一个第二导电型高浓度半导体层，设置于筒状半导体层的上部；

第二个第二导电型高浓度半导体层，设置于筒状半导体层的下部；

第三个第一导电型高浓度半导体层，设于第二个第一导电型高浓度半导体层及第二个第二导电型高浓度半导体层的下部；

第一半导体与金属的化合物层，成形于第二个第二导电型高浓度半导体层及第三个第一导电型高浓度半导体层侧壁的一部分；

第二半导体与金属的化合物层，成形于第一个第一导电型高浓度半导体层的上部；以及

第三半导体与金属的化合物层，成形于第一个第二导电型高浓度半导体层的上部。

4.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第一栅极绝缘膜，环绕岛状半导体层的周围；

栅极电极，环绕该第一栅极绝缘膜的周围；

第二栅极绝缘膜，环绕该栅极电极的周围；

筒状半导体层，环绕该第二栅极绝缘膜的周围；

第一n+型半导体层，设置于岛状半导体层的上部；

第二n+型半导体层，设置于岛状半导体层的下部；

第一p+型半导体层，设置于筒状半导体层的上部；以及

第二p+型半导体层，设置于筒状半导体层的下部。

5.一种半导体器件，其特征在于，具备：

第一栅极绝缘膜，环绕岛状半导体层的周围；

栅极电极，环绕该第一栅极绝缘膜的周围；

第二栅极绝缘膜，环绕该栅极电极的周围；

筒状半导体层，环绕该第二栅极绝缘膜的周围；

第一n+型半导体层，设置于岛状半导体层的上部；

第二n+型半导体层，设置于岛状半导体层的下部；

第一p+型半导体层，设置于筒状半导体层的上部；

第二p+型半导体层，设置于筒状半导体层的下部；

第三n+型半导体层，设于第二n+型半导体层及第二p+型半导体层的下部；

第一半导体及金属的化合物层，成形于第二p+型半导体层及第三n+型半导体层侧壁的一部分；

第二半导体及金属的化合物层，成形于第一n+型半导体层的上部；以及

第三半导体及金属的化合物层，成形于第一p+型半导体层的上部。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于，将该筒状半导体层的内周长度设作为Wp、并将该岛状半导体层的外周长度设作为Wn时，Wp≈2Wn。

7.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于，将该筒状半导体层的内径设作为Rp、并将该岛状半导体层的半径设作为Rn时，Rp≈2Rn。