[发明专利]一种多模全频段的射频发射装置及方法有效
| 申请号： | 201010148417.4 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101814927A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/02 | 分类号： | H04B1/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;蒋雅洁 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多模全频段的射频发射装置，该装置包括：位于射频主放大晶片后级的射频开关晶片，用于集成所有固体开关元件；所述固体开关元件中包括实现可变电容和可变电感对取值大小进行控制时所采用的切换开关；所述可变电容和可变电感，用于对输入开关匹配电路/输出开关匹配电路中无源元件的取值大小进行控制，实现一路的输入/输出匹配电路。本发明还公开了一种多模全频段的射频发射方法，该方法包括：通过可变电容和可变电感，对输入开关匹配电路/输出开关匹配电路中无源元件的取值大小进行控制，实现一路的输入/输出匹配电路。采用本发明的装置及方法，能从根本上降低系统设计复杂度和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多模全 频段 射频 发射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多模全频段的射频发射装置，该装置包括装置内部的射频主放大晶片和控制晶片，其特征在于，该装置还包括：位于所述射频主放大晶片后级的射频开关晶片，用于集成所有固体开关元件；所述固体开关元件中包括实现可变电容和可变电感对取值大小进行控制时所采用的切换开关；所述可变电容和可变电感，用于对输入开关匹配电路/输出开关匹配电路中无源元件的取值大小进行控制，实现一路的输入/输出匹配电路。
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