[发明专利]一种多模全频段的射频发射装置及方法有效
| 申请号: | 201010148417.4 | 申请日: | 2010-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN101814927A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
| 发明(设计)人: | 刘鑫 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号: | H04B1/02 | 分类号: | H04B1/02 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;蒋雅洁 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多模全 频段 射频 发射 装置 方法 | ||
1.一种多模全频段的射频发射装置,该装置包括装置内部的射频主放大晶 片和控制晶片,其特征在于,该装置还包括:位于所述射频主放大晶片后级的 射频开关晶片,用于集成所有固体开关元件;所述固体开关元件中包括实现可 变电容和可变电感对取值大小进行控制时所采用的切换开关;
所述可变电容和可变电感,用于对输入开关匹配电路/输出开关匹配电路中 无源元件的取值大小进行控制,实现一路的输入/输出匹配电路;
所述可变电容为可调元件,用于适应不同频段输入/输出匹配的需要,并随 着频率的升高,所需的电容值减小,当频段按照频率从低往高排序依次为频段 1、频段2、……频段n-1、频段n时,相应地,选取C1为频段n的电容、C1 并联C2为频段n-1的电容、……、C1,C2……Cn全部并联为频段1的电容;
所述可变电感为可调元件,用于适应不同频段输入/输出匹配的需要,并随 着频率的升高,所需的电感值减小,当频段按照频率从低往高排序依次为频段 1、频段2、……频段n-1、频段n时,相应地,选取L1为频段1的电感、L1 并联L2为频段2的电感、……、L1,L2……Ln全部并联为频段n的电感;
其中,所述射频开关晶片,具体用于在所述射频发射装置内部,集成射频 通路的单刀七置开关、以及实现可变电容和可变电感对取值大小进行控制时所 采用的切换开关。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,该装置还包括:装置外部的 引脚,所述引脚的架构适应于所述装置内部的架构;其中,所述引脚包括以下 引脚类型:
引脚类型1:射频信号统一输入端的引脚;
引脚类型2:射频发射装置电源的引脚;
引脚类型3:发射模式和接收模式切换的引脚;
引脚类型4:模拟功率控制输入端的引脚;
引脚类型5:组成逻辑控制位的选择射频频段的引脚;
引脚类型6:射频信号接收端的引脚;
引脚类型7:公共端的引脚;
引脚类型8:射频接天线端口的引脚。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述引脚类型1以Rfin标 识、所述引脚类型2以Vbatt标识、所述引脚类型3以TX/RX标识、所述引脚 类型4以Vr标识、所述引脚类型5以BS1,BS2,BS3和BS4标识、所述引脚 类型6以RX1,RX2,RX3,RX4,RX5和RX6标识、所述引脚类型7以GND 标识、所述引脚类型8以ANT标识的情况下,
所述Rfin、所述Vbatt、所述TX/RX、所述Vr、所述BS1,BS2,BS3和 BS4标识位于所述装置的一侧,皆作为装置输入侧的引脚;所述RX1,RX2, RX3,RX4,RX5和RX6、所述GND、所述ANT位于所述装置的另一侧,皆 作为装置输出侧的引脚;其中,
所述Rfin与所述输入开关匹配电路相连;所述输入开关匹配电路,经由所 述射频主放大晶片和所述输出开关匹配电路与所述射频开关晶片相连;
所述Vr、所述BS1,BS2和BS3分别与所述控制晶片相连;所述控制晶片 与所述射频主放大晶片相连,且所述控制晶片还与所述射频开关晶片相连;
所述RX1,RX2,RX3,RX4,RX5和RX6、所述ANT分别与所述射频 开关晶片相连。
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