[发明专利]一种高稳定触发二极管的制造方法有效
申请号: | 201010147976.3 | 申请日: | 2010-04-04 |
公开(公告)号: | CN102214570A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 黄建山;陈建华;梅余峰;张练佳 | 申请(专利权)人: | 如皋市易达电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12;B23K31/02 |
代理公司: | 如皋市江海专利事务所 32216 | 代理人: | 蔡春建 |
地址: | 226561*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种高稳定触发二极管的制造方法,包括焊接、一次酸洗、高纯水冲洗、二次酸洗、高纯水冲洗、两道高纯水超声波清洗、两道无水乙醇清洗、上胶、注塑等步骤;焊接炉进口设计成上坡、出口设计成下坡的结构形式,使焊接时的保护气体氮气的用量明显减少,减少了能源的消耗;将现有散下式方法改为集中定点放入酸液,减小了酸的耗用,同时降低了对环境的污染,减少了对铜引线的腐蚀;清洗过程中采用了扇形喷嘴冲洗的方式能有效地去除杂质;采用两道高纯水超声波清洗,再经过两道无水乙醇清洗,使产品高温性能大幅度地提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 稳定 触发 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高稳定触发二极管的制造方法,它包括以下步骤:(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉加温,温度t1为:290℃≤t1≤305℃,温控时间h1为:14分钟≤h1≤16分钟,使用氮气作为焊接时的保护气体;(2)将步骤(1)的二极管材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为:95℃≤t2≤105℃,温控时间h2为:28分钟≤h2≤32分钟;(3)将步骤(2)的二极管材料装人酸洗盘中;(4)将步骤(3)的二极管材料进行一次酸洗,酸洗液为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,腐蚀去除划片机械损伤层,时间h3为:135秒≤h3≤155秒;(5)将步骤(4)的二极管材料用高纯水冲洗,冲洗时间h4为:50秒≤h4≤70秒;(6)将步骤(5)的二极管材料进行二次酸洗,酸洗液为:H3PO4∶H2O2∶H2O=1∶2∶3进行清洗,温度t3为:58℃≤t3≤62℃,时间h5为:50秒≤h5≤60秒;(7)将步骤(6)的二极管材料用高纯水冲洗,冲洗时间h5为:50秒≤h6≤70秒;(8)将步骤(7)的二极管材料再经过两道高纯水超声波清洗,清洗时间h7为:90秒≤h7≤120秒;(9)将步骤(8)的二极管材料再经过两道无水乙醇清洗,清洗后用超声波脱水,超声波脱水时间h8为:50秒≤h8≤70秒;(10)将步骤(9)所得的二极管材料排列到铝条上;(11)将步骤(10)所得的二极管材料连同铝条放入烘箱内烘干,烘干温度t4为:178℃≤t4≤182℃,烘干时间h9为:58分钟≤h9≤63分钟,去除表面残余水分;(12)将步骤(11)所得的二极管材料送入上胶机,依次对每支二极管芯片表面涂覆一层硅绝缘胶,使其表面绝缘;(13)将步骤(12)所得的二极管材料送入烘箱内烘干,烘干温度t5为:198℃≤t5≤202℃,烘干时间h10为8小时,使其固化;(14)将步骤(13)所得的二极管材料放置注塑模中,用环氧树脂注塑到其外围,初步成型;(15)将步骤(14)所得的二极管材料送入烘箱内烘干,烘干温度t6为:178℃≤t6≤182℃,烘干时间h11为7小时,使其完全固化;(16)将步骤(15)所得的二极管材料的两铜线电极电镀上锡,使两电极在使用过程中易于焊接;(17)将电镀时弯曲的两电极引线抹直;(18)对部件进行检测,并包装得成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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