[发明专利]一种氟掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法有效
| 申请号： | 201010145877.1 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101831701A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;曹铃;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的F掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化锌和纯氟化锌粉末球磨混合后压制成型的烧结陶瓷靶，其中氟化锌的摩尔含量为1～3％；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.05～0.5Pa，激光频率为3～5Hz，生长温度为30～500℃，在衬底上生长n型透明导电ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂，掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中F的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的n型ZnO晶体薄膜具有良好的光电学性能，重复性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 生长 透明 导电 zno 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
F掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法，其特征是采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：1)称量纯氧化锌和纯氟化锌粉末，其中氟化锌的摩尔含量为1～3％，经球磨混合后压制成型，然后在800～1060℃烧结3小时以上，制得靶材。2)将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为5cm，生长室背底真空度抽至10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度为30～500℃，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.05～0.5Pa，激光频率为3～5Hz，进行生长，生长后的薄膜在氧气保护气氛下冷却至室温。
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