[发明专利]一种氟掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法有效
| 申请号： | 201010145877.1 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101831701A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;曹铃;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 生长 透明 导电 zno 晶体 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.F掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法，其特征是采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：
1)称量纯氧化锌和纯氟化锌粉末，其中氟化锌的摩尔含量为1～3％，经球磨混合后压制成型，然后在800～1060℃烧结3小时以上，制得靶材。
2)将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为5cm，生长室背底真空度抽至10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度为30～500℃，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.05～0.5Pa，激光频率为3～5Hz，进行生长，生长后的薄膜在氧气保护气氛下冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的F掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法，其特征是所说的衬底是硅、蓝宝石、玻璃或石英。
3.根据权利要求1所述的F掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法，其特征是纯O2的纯度为99.99％以上。
4.根据权利要求1所述的F掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法，其特征是纯氧化锌和纯氟化锌的纯度分别为99.99％。
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