[发明专利]冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源有效
申请号: | 201010145409.4 | 申请日: | 2010-03-19 |
公开(公告)号: | CN101840822A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 白神崇生;北川和典;兼重敏男;西村则雄 | 申请(专利权)人: | 双叶电子工业株式会社 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J1/304;H01J29/04 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源,提供能以简单的步骤对某种程度的面积以一次进行加工的冷阴极电子源的制造方法。本发明的冷阴极电子源的制造方法为在衬底(1)上重叠阴极电极(2)、绝缘层(4)及栅极电极(5),以溶剂溶解不会相溶的聚合物A、B并使其被覆在栅极电极的表面。使溶剂蒸发而将聚合物A以微粒子状析出在聚合物B中并予以固定化,再以显影液去除聚合物A而形成蚀刻孔洞(9),并进行蚀刻而在栅极电极形成孔洞(6)。并且,从孔洞(6)进行蚀刻而在绝缘层也形成孔洞,在孔洞内形成射极而作成冷阴极电子源(10)。 | ||
搜索关键词: | 阴极 电子 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种冷阴极电子源的制造方法,该冷阴极电子源具有:阴极电极;绝缘层,形成于所述阴极电极上;栅极电极,形成在所述绝缘层上;及射极,在形成于所述栅极电极及所述绝缘层的孔洞的底部,以与所述阴极电极导通的方式形成;该冷阴极电子源的制造方法的特征在于具有:利用第2聚合物的溶解度比第1聚合物的溶解度高的溶剂,使具有彼此不会相溶的性质的所述第1聚合物与所述第2聚合物相互溶解,并使其被覆在形成所述孔洞前的所述栅极电极的表面的步骤;通过使所述溶剂蒸发,而使所述第1聚合物以微粒子状析出在所述第2聚合物中而固定化的步骤;利用所述第1聚合物的溶解度比所述第2聚合物的溶解度高的显影液,去除析出成微粒子状的所述第1聚合物,藉此在所述第2聚合物形成蚀刻孔洞的步骤;及透过所述蚀刻孔洞进行蚀刻,藉此在所述栅极电极形成孔洞的步骤。
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