[发明专利]冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源

权利要求书

1.一种冷阴极电子源的制造方法，该冷阴极电子源具有：阴极电极；绝缘层，形成于所述阴极电极上；栅极电极，形成在所述绝缘层上；及射极，在形成于所述栅极电极及所述绝缘层的孔洞的底部，以与所述阴极电极导通的方式形成；

该冷阴极电子源的制造方法的特征在于具有：

利用第2聚合物的溶解度比第1聚合物的溶解度高的溶剂，使具有彼此不会相溶的性质的所述第1聚合物与所述第2聚合物相互溶解，并使其被覆在形成所述孔洞前的所述栅极电极的表面的步骤；

通过使所述溶剂蒸发，而使所述第1聚合物以微粒子状析出在所述第2聚合物中而固定化的步骤；

利用所述第1聚合物的溶解度比所述第2聚合物的溶解度高的显影液，去除析出成微粒子状的所述第1聚合物，藉此在所述第2聚合物形成蚀刻孔洞的步骤；及

透过所述蚀刻孔洞进行蚀刻，藉此在所述栅极电极形成孔洞的步骤。

2.根据权利要求1所述的冷阴极电子源的制造方法，其特征在于，所述显影液为水。

3.根据权利要求1所述的冷阴极电子源的制造方法，其特征在于，所述显影液为有机溶剂。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的冷阴极电子源的制造方法，其特征在于，所述溶剂由单一种类的有机溶剂所构成。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的冷阴极电子源的制造方法，其特征在于，所述溶剂包含：所述第2聚合物的溶解度比所述第1聚合物的溶解度高且沸点相对较高的第1有机溶剂；及所述第1聚合物的溶解度比所述第2聚合物的溶解度高且沸点相对较低的第2有机溶剂。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的冷阴极电子源的制造方法，其特征在于，透过所述蚀刻孔洞进行干蚀刻前，在形成有所述蚀刻孔洞的所述第2聚合物的表面，设置用以保护所述第2聚合物不会受到干蚀刻侵蚀的保护层。

7.一种冷阴极电子源，其特征在于，具有：阴极电极；绝缘层，形成于所述阴极电极上；栅极电极，形成在所述绝缘层上；及射极，在形成于所述栅极电极及所述绝缘层的孔洞的底部，以与所述阴极电极导通的方式形成；该冷阴极电子源的特征在于：

以多个形成的所述孔洞的径以在0.04μm至0.3μm的范围内产生变异的状态进行分布。