[发明专利]以离子束均匀布植晶圆的方法有效
申请号: | 201010145124.0 | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN101996871A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 沈政辉;唐·贝瑞安 | 申请(专利权)人: | 汉辰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/00;C23C14/48 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种以离子束均匀布植晶圆的方法,首先,在晶圆上形成带状的离子束,其中,带状离子束具有沿着第一轴的长度与沿着第二轴的宽度,在此,长度大于晶圆的直径而宽度小于晶圆的直径。然后,沿着通过离子束的一扫描路径,以一移动速度移动晶圆中心,且同时以一旋转速度旋转该晶圆。在同时移动与旋转的期间中,当晶圆通过离子束时,此晶圆被沿着第一轴的离子束完全覆盖,且旋转速度最多是移动速度的数倍。移动速度与旋转速度均可以是常数,或者为相对于离子束在晶圆的一位置的一函数。 | ||
搜索关键词: | 离子束 均匀 布植晶圆 方法 | ||
【主权项】:
一种以离子束均匀布植晶圆的方法,其特征在于其包括以下步骤:形成具有一带状形状的一离子束,其中,该带状形状具有沿着一第一轴的一长度与沿着一第二轴的一宽度,该长度大于该晶圆的一直径,该宽度小于该晶圆的该直径;以及沿着通过该离子束的一扫描路径,以一移动速度移动该晶圆的一中心,且同时以一旋转速度旋转该晶圆,其中,当该晶圆通过该离子束时,在沿着该第一轴的方向该晶圆被该离子束完全覆盖,其中,该旋转速度最多是该移动速度的数倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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