[发明专利]以离子束均匀布植晶圆的方法有效

专利信息
申请号: 201010145124.0 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN101996871A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 沈政辉;唐·贝瑞安 申请(专利权)人: 汉辰科技股份有限公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01L21/00;C23C14/48
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹市新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种以离子束均匀布植晶圆的方法,首先,在晶圆上形成带状的离子束,其中,带状离子束具有沿着第一轴的长度与沿着第二轴的宽度,在此,长度大于晶圆的直径而宽度小于晶圆的直径。然后,沿着通过离子束的一扫描路径,以一移动速度移动晶圆中心,且同时以一旋转速度旋转该晶圆。在同时移动与旋转的期间中,当晶圆通过离子束时,此晶圆被沿着第一轴的离子束完全覆盖,且旋转速度最多是移动速度的数倍。移动速度与旋转速度均可以是常数,或者为相对于离子束在晶圆的一位置的一函数。
搜索关键词: 离子束 均匀 布植晶圆 方法
【主权项】:
一种以离子束均匀布植晶圆的方法,其特征在于其包括以下步骤:形成具有一带状形状的一离子束,其中,该带状形状具有沿着一第一轴的一长度与沿着一第二轴的一宽度,该长度大于该晶圆的一直径,该宽度小于该晶圆的该直径;以及沿着通过该离子束的一扫描路径,以一移动速度移动该晶圆的一中心,且同时以一旋转速度旋转该晶圆,其中,当该晶圆通过该离子束时,在沿着该第一轴的方向该晶圆被该离子束完全覆盖,其中,该旋转速度最多是该移动速度的数倍。
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