[发明专利]以离子束均匀布植晶圆的方法

权利要求书

1.一种以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其包括以下步骤：

形成具有一带状形状的一离子束，其中，该带状形状具有沿着一第一轴的一长度与沿着一第二轴的一宽度，该长度大于该晶圆的一直径，该宽度小于该晶圆的该直径；以及

沿着通过该离子束的一扫描路径，以一移动速度移动该晶圆的一中心，且同时以一旋转速度旋转该晶圆，其中，当该晶圆通过该离子束时，在沿着该第一轴的方向该晶圆被该离子束完全覆盖，其中，该旋转速度最多是该移动速度的数倍。

2.根据权利要求1所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中所述的位于该晶圆的一边缘，平行该扫描路径的一切线速度与沿着该扫描路径的该晶圆的该中心的一速度的差值最多是该移动速度的数倍。

3.根据权利要求1所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中所述的旋转速度小于该移动速度，该旋转速度藉由位于该晶圆的一边缘，平行该扫描路径的一切线速度而定义。

4.根据权利要求1所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中所述的在该晶圆沿着该扫描路径移动的期间，该旋转速度的一角度值为360P/Q度，其中，P是正整数，Q也是正整数。

5.根据权利要求1所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中所述的同时移动与旋转步骤，包含下列的至少一步骤：

当该离子束正布植该晶圆的该中心，以一较低移动速度移动该晶圆，且当该离子束仅布植该晶圆的一边缘，以一较高移动速度移动该晶圆；以及

以大致相同的速度移动该晶圆，不管该离子束正布植该晶圆的该中心或仅怖植该晶圆的一边缘。

6.根据权利要求1所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中所述的移动速度为一移动速度曲线，且为相对于该晶圆通过该离子束的一位置的一函数，并且该旋转速度为一移动速度曲线，具为相对于该晶圆通过该离子束的一位置的一函数。

7.根据权利要求6所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中更包含将该移动速度曲线与该旋转速度曲线的至少之一作为下列之一来进行计算：

一常数；以及

一方程式，该方程式具有下列因数的至少一者：

沿着该第一轴的该离子束的一电流密度分布；

沿着与该第一轴交叉的一方向的该离子束的一电流密度分布；

该晶圆上的一预期布植分布；

沿着该第一轴的一预定扫描路径的一净电流密度分布；以及

沿着与该第一轴交叉的一方向的一预定扫描路径的一净电流密度分布。

8.根据权利要求1所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中更包含一修正误差步骤于该同时移动与旋转步骤，该修正误差步骤包含：

当侦测到该离子束的一误差时，纪录一误差位置，并且藉由阻挡该离子束，立刻暂停该同时移动与旋转步骤；

阻挡该离子束，并且继续该同时移动与旋转步骤的一移动与一旋转，直到该晶圆停止于该扫描路径的一第一端点；

不阻挡该离子束，并且于反转方向继续该移动与该旋转；

于该误差位置阻挡该离子束，并且继续该反转移动与该反转旋转，直到该晶圆停止于该扫描路径的一第二端点；

阻挡该离子束，并且继续移动与旋转该晶圆，直到该晶圆停止于该扫描路径的该第一端点；以及

不阻挡该离子束，且恢复该同时移动与旋转步骤。

9.根据权利要求8所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中更包含一修正第二误差步骤于该修正误差步骤，该修正第二误差步骤包含：

在该反转移动与该反转旋转的期间，当侦测到该离子束的一第二误差时，纪录一第二误差位置，并且藉由阻挡该离子束，立刻停止该修正误差步骤；

在阻挡该离子束的期间，继续该晶圆的该反转移动与该反转旋转，直到该晶圆停止于该扫描路径的该第二端点；

在阻挡该离子束的期间，进行该晶圆的该移动与该旋转，直到该晶圆到达该误差位置；

不阻挡该离子束，且进行该晶圆的该移动与该旋转，直到该晶圆到达该第二误差位置；

阻挡该离子束，并且然后继续该晶圆的该移动与该旋转，直到该晶圆停止于该扫描路径的该第一端点；以及

不阻挡该离子束，且恢复该同时移动与旋转步骤。

10.根据权利要求1所述的以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其中更包含在该晶圆同时移动与旋转的期间，倾斜该晶圆的步骤，该倾斜该晶圆步骤包含下列之一：

当该晶圆绕大致平行该离子束的一方向旋转时，倾斜该晶圆于一固定倾斜角度；

当该晶圆绕大致平行该离子束的一方向旋转时，倾斜该晶圆，并且于一预定角度范围内，变动一倾斜角度；

当该晶圆绕大致垂直该离子束的一方向旋转时，倾斜该晶圆于一固定倾斜角度；以及

当该晶圆绕大致垂直该离子束的一方向旋转时，倾斜该晶圆，并且于一预定角度范围内，变动一倾斜角度。